题目：Extend the Lithography Limit with Block Copolymer Directed Self-Assembly 时间：2016年6月13日上午10:00-11:30 地点：玉泉校区信电楼117、119会议室 报告人：鲍新宇博士，斯坦福大学/应用材料公司

Abstract:

The challenges associated with improving existing lithography for device scaling are increasing significantly. Block copolymer directed self-assembly (DSA) is a potential low cost, high throughput sub-lithographic patterning solution that can extend the existing optical lithography feature size from tens of nanometers down to a few nanometers. Anindustry compatible DSA strategy has been developed for contact hole patterning down to 7nm node.

简介：

鲍新宇，2001年本科毕业于中国科学技术大学物理系，2006年在中国科学院物理研究所获得博士学位，师从赵忠贤院士。

2006-2011年期间先后在加州大学圣地亚哥分校和斯坦福大学电子工程系从事博士后研究，主要研究方向为半导体材料与制备、纳米结构与器件、以及MOCVD设备和工艺。2011年起就职于美国应用材料（Applied Materials）公司，现任Member of Technical Staff。

曾获中国科学院院长特别奖和中国科学院杰出科技成就奖。在Science，Phys. Rev. Lett.，Nano Letters等期刊发表论文40余篇，获8项美国专利授权，总引用2800多次。

此次受邀于天游ty8线路1线路2线路3微电子学院刘�老师课题组，来我校作相关专题报告，欢迎各位同学积极参与。